SI7145DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
¥5.41
63,071
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI7145DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥5.41

1+:¥5.6

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Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.6264

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VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8

1000+:¥5.67

500+:¥5.76

100+:¥5.96

30+:¥6.4

10+:¥6.82

1+:¥7.51

4511

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威世(VISHAY)
PowerPAK-SO-8

30000+:¥5.9411

6000+:¥6.4137

3000+:¥6.7513

800+:¥9.4518

200+:¥13.5026

10+:¥21.9755

15000

-
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Vishay(威世)
SOIC-8

3000+:¥5.951

1500+:¥6.16

750+:¥6.402

100+:¥7.051

7+:¥8.107

12313

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3天-15天
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Vishay(威世)
SO-8

2000+:¥6.1033

1000+:¥6.3807

500+:¥6.7691

100+:¥7.6013

20+:¥8.4336

5+:¥9.2659

256

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Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥6.77343

1000+:¥6.86901

500+:¥6.96459

100+:¥7.04743

10+:¥7.13664

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VISHAY(威世)
PAKSO-8

500+:¥10.9

100+:¥12.8

20+:¥14.3

1+:¥17.8

1776

19+/20+
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Vishay(威世)
SOIC-8

1000+:¥13.6454

500+:¥13.7125

300+:¥13.7987

100+:¥14.2299

50+:¥14.8719

30+:¥15.7248

10+:¥20.0177

5+:¥33.6822

2890

-
3周-4周
SI7145DP-T1-GE3
Vishay Intertechnology

1000+:¥5.72

500+:¥5.92

100+:¥6.3991

30+:¥7.0649

10+:¥7.5696

1+:¥9.1146

5118

2516+
1工作日
SI7145DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.7616

1500+:¥5.9592

750+:¥6.1984

100+:¥6.812

1+:¥7.8416

3084

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1-3工作日
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VISHAY(威世)

3000+:¥6.1494

1500+:¥6.3603

750+:¥6.6156

100+:¥7.2705

1+:¥8.3694

3104

25+
2-4工作日
SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors

10000+:¥6.5574

3000+:¥6.7379

200+:¥6.9184

10+:¥7.3997

18161

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5-7工作日
SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors

50000+:¥6.5574

10000+:¥6.7379

1000+:¥6.9184

10+:¥7.3997

18000

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5-7工作日
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Vishay Semiconductors

100+:¥6.6504

10+:¥7.9581

1477

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5-10工作日
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Vishay Semiconductors

500+:¥14.467

100+:¥15.9064

5+:¥17.52

5605

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14-18工作日
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Vishay(威世)
SOIC-8

3000+:¥11.8572

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 413 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 15660 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta),104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8