咨询/建议
SI7115DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
3000+:￥1.6807 1200+:￥1.6979 600+:￥1.7405 10+:￥2.8416 1+:￥3.5136 |
2978 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
PowerPAK1212-8
|
30000+:￥1.7149 6000+:￥1.8514 3000+:￥1.9488 800+:￥2.7283 200+:￥3.8976 10+:￥6.3433 |
96000 |
-
|
油柑网
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK® 1212-8
|
3000+:￥1.72 1+:￥1.81 |
4247 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
1000+:￥1.7542 500+:￥1.8522 100+:￥2.2736 30+:￥2.67 10+:￥3.03 1+:￥3.74 |
7472 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
3000+:￥1.7888 1+:￥1.8824 |
4242 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
500+:￥1.79 100+:￥2.21 20+:￥2.59 1+:￥3.54 |
9000 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK® 1212-8
|
3000+:￥1.892 1500+:￥1.991 750+:￥2.101 100+:￥2.365 20+:￥2.948 |
4247 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SI7115DN-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK-1212-8
|
3000+:￥1.7888 1500+:￥1.8824 750+:￥1.9864 100+:￥2.236 1+:￥2.7872 |
4247 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |