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SI4909DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 8A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI4909DY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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8-SO
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2500+:￥2.94 1+:￥3.07 |
1343 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI4909DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥3.0576 1+:￥3.1928 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI4909DY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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1000+:￥3.2 500+:￥3.39 100+:￥3.99 30+:￥4.62 10+:￥5.25 1+:￥6.51 |
2537 |
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立即发货
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立创商城
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威世(VISHAY)
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SOIC-8
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25000+:￥3.234 5000+:￥3.4913 2500+:￥3.675 800+:￥5.145 200+:￥7.35 10+:￥11.9621 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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1250+:￥3.377 100+:￥3.718 20+:￥4.466 |
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3天-15天
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唯样商城
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