SI4909DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥2.94
10,230
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):40V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27 毫欧 @ 8A,10V
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SI4909DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
8-SO

2500+:¥2.94

1+:¥3.07

1343

25+
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SI4909DY-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

2500+:¥3.0576

1+:¥3.1928

1342

25+
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SI4909DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8

1000+:¥3.2

500+:¥3.39

100+:¥3.99

30+:¥4.62

10+:¥5.25

1+:¥6.51

2537

-
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SI4909DY-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOIC-8

25000+:¥3.234

5000+:¥3.4913

2500+:¥3.675

800+:¥5.145

200+:¥7.35

10+:¥11.9621

1343

-
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Vishay(威世)
SOIC-8

1250+:¥3.377

100+:¥3.718

20+:¥4.466

1343

-
3天-15天
SI4909DY-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT96-1

1000+:¥3.381

500+:¥3.528

100+:¥3.822

30+:¥4.116

1+:¥4.263

1440

-
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SI4909DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOIC-8_150mil

100+:¥4.27

30+:¥4.9

10+:¥5.54

1+:¥6.81

882

20+/21+
SI4909DY-T1-GE3
Vishay(威世)
SO-8

2500+:¥3.0576

1250+:¥3.1928

100+:¥3.5152

1+:¥4.2224

1343

--
1-3工作日
SI4909DY-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOIC-8

1000+:¥4.04

500+:¥4.646

100+:¥5.05

30+:¥5.656

10+:¥6.868

1+:¥8.08

0

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