厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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TO-236
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3000+:¥0.892 1+:¥0.94 |
25495 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23
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1+:¥0.911 |
6785 |
2313
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:¥0.92768 1+:¥0.9776 |
25493 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.9812 1500+:¥1.034 750+:¥1.0967 100+:¥1.232 40+:¥1.529 |
25495 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay
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SOT-23-3
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3000+:¥0.9866 2000+:¥1.0359 1000+:¥1.0877 500+:¥1.1421 100+:¥1.2563 10+:¥1.3819 |
5000 |
22+
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立即发货
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壹探芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:¥0.9944 6000+:¥1.0735 3000+:¥1.13 800+:¥1.582 200+:¥2.26 10+:¥3.6782 |
36000 |
-
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油柑网
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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1200+:¥1.0987 600+:¥1.1099 50+:¥1.4659 5+:¥1.8821 |
619 |
-
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立即发货
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华秋商城
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:¥1.1211 150+:¥1.3554 50+:¥1.5431 5+:¥1.9812 |
2905 |
-
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立即发货
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立创商城
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT23
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500+:¥1.18 100+:¥1.48 20+:¥1.76 1+:¥2.41 |
3000 |
22+/23+
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在芯间
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.9788 |
50 |
-
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3天-5天
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唯样商城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
|
SOT-23-3
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3000+:¥0.93912 1500+:¥0.99112 750+:¥1.0504 100+:¥1.1752 1+:¥1.4664 |
28576 |
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1-3工作日
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硬之城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥0.952 1000+:¥0.9605 500+:¥1.0557 200+:¥1.1632 50+:¥1.275 |
24000 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3,TO-236
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6000+:¥0.966 3000+:¥1.02 1000+:¥1.0744 500+:¥1.1537 100+:¥1.2307 30+:¥1.3213 10+:¥1.5114 1+:¥1.7113 |
5403 |
2445+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥1.029 1500+:¥1.0845 750+:¥1.1544 100+:¥1.2876 1+:¥1.6095 |
28598 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23-3,TO-236
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2200+:¥1.2244 |
6785 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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150+:¥1.8975 90+:¥2.124 30+:¥2.34 |
99302 |
-
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2369DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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1500+:¥2.5227 750+:¥2.5998 25+:¥2.6813 |
275 |
-
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10-15工作日
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云汉芯城
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 36 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1295 pF @ 15 V |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |