SI2369DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.892
130,842
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2369DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
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Vishay(威世)
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3000+:¥0.9812

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5000

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威世(VISHAY)
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6000+:¥1.0735

3000+:¥1.13

800+:¥1.582

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36000

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500+:¥1.1211

150+:¥1.3554

50+:¥1.5431

5+:¥1.9812

2905

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500+:¥1.18

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1+:¥2.41

3000

22+/23+
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Vishay(威世)
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1+:¥1.4664

28576

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1-3工作日
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.952

1000+:¥0.9605

500+:¥1.0557

200+:¥1.1632

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24000

22+
4-7工作日
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.966

3000+:¥1.02

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10+:¥1.5114

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5403

2445+
1工作日
SI2369DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥1.029

1500+:¥1.0845

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100+:¥1.2876

1+:¥1.6095

28598

25+
2-4工作日
SI2369DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

2200+:¥1.2244

6785

-
3-5工作日
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Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

150+:¥1.8975

90+:¥2.124

30+:¥2.34

99302

-
14-18工作日
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

1500+:¥2.5227

750+:¥2.5998

25+:¥2.6813

275

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1295 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3