SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.59
145,722
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
TO-236

3000+:¥0.59

1+:¥0.634

19415

2年内
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SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.6136

1+:¥0.65936

19361

2年内
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SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.6136

1+:¥0.65936

4414

24+
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SI2356DS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.6468

6000+:¥0.6983

3000+:¥0.735

800+:¥1.029

200+:¥1.47

10+:¥2.3924

66000

-
SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.649

1500+:¥0.6974

200+:¥0.8019

50+:¥1.0428

19415

-
3天-15天
SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

3000+:¥0.689

500+:¥0.764

150+:¥0.9323

50+:¥1.0671

5+:¥1.3819

5165

-
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SI2356DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3

3000+:¥0.8556

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100+:¥1.0192

1+:¥1.176

2657

2331
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SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

500+:¥0.954

100+:¥0.971

20+:¥1.125

1+:¥1.426

3200

22+
SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

5000+:¥1.4566

4000+:¥1.4566

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500+:¥1.5716

300+:¥1.6578

100+:¥2.089

60+:¥2.731

6000

-
3周-4周
SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23(TO-236)

2000+:¥0.7497

1000+:¥0.7828

500+:¥0.8293

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20+:¥1.0283

5+:¥1.1278

95

-
立即发货
SI2356DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.6136

1500+:¥0.65936

200+:¥0.75816

1+:¥0.98592

4416

--
1-3工作日
SI2356DS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.643

3000+:¥0.6795

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150+:¥0.7936

50+:¥0.8818

5+:¥1.0788

5008

2442+
1工作日
SI2356DS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.6522

300+:¥0.7109

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10+:¥1.037

1+:¥1.2522

4760

23+
1-3工作日
SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.6671

45000+:¥0.6738

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1500+:¥0.7304

200+:¥0.8392

1+:¥1.0911

18523

24+
2-4工作日
SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.7

1000+:¥0.7063

500+:¥0.7763

300+:¥0.8553

100+:¥0.9375

30000

24+
4-7工作日
SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.7219

69000

24+
5-15工作日
Si2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥0.7953

10000+:¥0.8172

1000+:¥0.839

10+:¥0.8974

72000

-
5-7工作日
SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥0.7953

3000+:¥0.8172

200+:¥0.839

10+:¥0.8974

70272

-
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 51 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 370 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 960mW(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3