厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
---|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
TO-236
|
3000+:¥0.59 1+:¥0.634 |
19415 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23
|
3000+:¥0.6136 1+:¥0.65936 |
19361 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:¥0.6136 1+:¥0.65936 |
4414 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
SOT-23
|
30000+:¥0.6468 6000+:¥0.6983 3000+:¥0.735 800+:¥1.029 200+:¥1.47 10+:¥2.3924 |
66000 |
-
|
油柑网
|
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:¥0.649 1500+:¥0.6974 200+:¥0.8019 50+:¥1.0428 |
19415 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23
|
3000+:¥0.689 500+:¥0.764 150+:¥0.9323 50+:¥1.0671 5+:¥1.3819 |
5165 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY
|
SOT-23-3
|
3000+:¥0.8556 1000+:¥0.9359 100+:¥1.0192 1+:¥1.176 |
2657 |
2331
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23
|
500+:¥0.954 100+:¥0.971 20+:¥1.125 1+:¥1.426 |
3200 |
22+
|
在芯间
|
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
5000+:¥1.4566 4000+:¥1.4566 1000+:¥1.5141 500+:¥1.5716 300+:¥1.6578 100+:¥2.089 60+:¥2.731 |
6000 |
-
|
3周-4周
|
唯样商城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23(TO-236)
|
2000+:¥0.7497 1000+:¥0.7828 500+:¥0.8293 100+:¥0.9288 20+:¥1.0283 5+:¥1.1278 |
95 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:¥0.6136 1500+:¥0.65936 200+:¥0.75816 1+:¥0.98592 |
4416 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay Intertechnology
|
SOT-23-3,TO-236
|
6000+:¥0.643 3000+:¥0.6795 500+:¥0.734 150+:¥0.7936 50+:¥0.8818 5+:¥1.0788 |
5008 |
2442+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY SEMICONDUCTORS
|
SOT-23-3,TO-236
|
3000+:¥0.6522 300+:¥0.7109 100+:¥0.7761 30+:¥0.8543 10+:¥1.037 1+:¥1.2522 |
4760 |
23+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23-3,TO-236
|
60000+:¥0.6671 45000+:¥0.6738 3000+:¥0.6782 1500+:¥0.7304 200+:¥0.8392 1+:¥1.0911 |
18523 |
24+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
SOT-23-3,TO-236
|
3000+:¥0.7 1000+:¥0.7063 500+:¥0.7763 300+:¥0.8553 100+:¥0.9375 |
30000 |
24+
|
4-7工作日
|
云汉芯城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
SOT-23-3,TO-236
|
6000+:¥0.7219 |
69000 |
24+
|
5-15工作日
|
云汉芯城
|
Si2356DS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
SOT-23-3,TO-236
|
50000+:¥0.7953 10000+:¥0.8172 1000+:¥0.839 10+:¥0.8974 |
72000 |
-
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
SI2356DS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
SOT-23-3,TO-236
|
10000+:¥0.7953 3000+:¥0.8172 200+:¥0.839 10+:¥0.8974 |
70272 |
-
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
属性 | 属性值 |
---|---|
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 51 毫欧 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 13 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 370 pF @ 20 V |
功率耗散(最大值) | 960mW(Ta),1.7W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |