SI2337DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥1.4068
13,471
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):80 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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SI2337DS-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3

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Vishay(威世)
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威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥1.65

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200+:¥3.75

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1000+:¥2.07

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1+:¥3.98

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VISHAY
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VISHAY(威世)
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1000+:¥1.617

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3000+:¥3.2699

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Vishay Semiconductors
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3000+:¥1.43

30000

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1+:¥2.1917

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1工作日
SI2337DS-T1-GE3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
SOT-23-3,TO-236

500+:¥1.5112

100+:¥1.6539

30+:¥1.7283

10+:¥1.9357

1+:¥2.1917

3000

24+
1-3工作日
SI2337DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥1.56

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100+:¥1.9552

1+:¥2.4336

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1-3工作日
SI2337DS-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥1.6178

2000+:¥1.667

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500+:¥1.9391

100+:¥2.2092

10+:¥2.6211

1470

23+
3-5工作日
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥2.5951

10000+:¥2.6665

1000+:¥2.7379

10+:¥2.9284

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5-7工作日
SI2337DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

920+:¥2.9354

3410

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SI2337DS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥3.113

6000+:¥3.113

3000+:¥3.113

30000

21+
3-5工作日
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

15000+:¥5.0687

3000+:¥5.1723

18620

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10-15工作日
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Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

500+:¥6.302

100+:¥7.0564

10+:¥7.764

17748

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14-18工作日
SI2337DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

2000+:¥2.8

1000+:¥2.875

500+:¥3.0

100+:¥3.25

30+:¥3.375

1+:¥3.5

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 270 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 760mW(Ta),2.5W(Tc)
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3