咨询/建议
Si2318CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI2318CDS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23-3（TO-236）
|
3000+:￥0.37 1+:￥0.399 |
77296 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
Si2318CDS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.373 3000+:￥0.3873 500+:￥0.4695 150+:￥0.5298 50+:￥0.6029 5+:￥0.7451 |
54960 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI2318CDS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.3848 1+:￥0.41496 |
77290 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI2318CDS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT23
|
3000+:￥0.389 500+:￥0.471 50+:￥0.604 10+:￥0.747 |
3755 |
21+/22+
|
在芯间
|
|
|
Si2318CDS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23(SOT-23-3)
|
3000+:￥0.389 500+:￥0.471 50+:￥0.604 10+:￥0.747 |
3750 |
21+/22+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |