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Si2318CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2318CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.37 1+:￥0.399 |
77296 |
24+
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圣禾堂
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Si2318CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.373 3000+:￥0.3873 500+:￥0.4695 150+:￥0.5298 50+:￥0.6029 5+:￥0.7451 |
54960 |
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立即发货
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立创商城
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SI2318CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3848 1+:￥0.41496 |
77290 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2318CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT23
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3000+:￥0.389 500+:￥0.471 50+:￥0.604 10+:￥0.747 |
3755 |
21+/22+
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在芯间
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Si2318CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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3000+:￥0.389 500+:￥0.471 50+:￥0.604 10+:￥0.747 |
3750 |
21+/22+
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在芯间
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SI2318CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.3989 1500+:￥0.4169 600+:￥0.4457 200+:￥0.4817 50+:￥0.5177 10+:￥0.5609 |
2900 |
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华秋商城
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SI2318CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3(TO-236)
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30000+:￥0.407 6000+:￥0.4394 3000+:￥0.4625 800+:￥0.6475 200+:￥0.925 10+:￥1.5055 |
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油柑网
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SI2318CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.481 1500+:￥0.5187 200+:￥0.5694 80+:￥0.6996 |
77466 |
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3天-15天
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唯样商城
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VISHAY
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SOT-23
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1+:￥0.494 |
2583 |
2146
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2318CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.7057 500+:￥1.7632 300+:￥1.8495 100+:￥2.2807 60+:￥2.9227 |
2742 |
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3周-4周
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唯样商城
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SI2318CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3848 1500+:￥0.41496 200+:￥0.45552 1+:￥0.66144 |
95390 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |