SI2312BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.859
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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SI2312BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

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威世(VISHAY)
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500+:¥0.9

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Vishay(威世)
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3000+:¥0.89336

1500+:¥0.94224

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VISHAY(威世)
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3000+:¥0.9535

1500+:¥1.0057

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1+:¥1.4874

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2-4工作日
SI2312BDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

500+:¥0.9637

150+:¥1.2897

50+:¥1.4563

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2721

23+
1工作日
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VISHAY
SOT-23-3,TO-236

1780+:¥1.5147

2680

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6-8工作日
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Vishay(威世)
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2000+:¥1.12

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1+:¥1.4

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 31 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
功率耗散(最大值) 750mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3