Si2308BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.87247
14,231
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2308BDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.8725

1500+:¥0.9135

600+:¥0.9791

200+:¥1.0611

50+:¥1.143

10+:¥1.2414

500

-
立即发货
SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23

1+:¥0.883

8592

2237
现货最快4H发
SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

1500+:¥0.99

500+:¥1.25

50+:¥1.39

5+:¥1.58

2133

22+/21+
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay(威世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

1000+:¥2.4819

500+:¥2.549

300+:¥2.6352

100+:¥3.0568

50+:¥3.7084

30+:¥5.6345

3000

-
3周-4周
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.7594

3000+:¥0.7661

1000+:¥0.8421

500+:¥0.9278

100+:¥1.017

29300

23+
4-7工作日
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.8218

6000+:¥0.8575

3000+:¥0.8933

3000

-
3-5工作日
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3,TO-236

200+:¥0.8218

150+:¥0.8575

100+:¥0.8933

588

-
3-5工作日
SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

2270+:¥1.1868

8661

-
3-5工作日
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥1.3202

6000+:¥1.343

3000+:¥1.3885

21000

-
10-13工作日
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

15000+:¥2.1045

3000+:¥2.1462

35880

-
10-15工作日
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

100+:¥2.9325

60+:¥3.2332

20+:¥3.552

33134

-
14-18工作日
Si2308BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3

24000+:¥0.702

12000+:¥0.7215

6000+:¥0.7475

3000+:¥0.767

0

-
立即发货
SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.768

1+:¥0.828

2

23+
立即发货
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.79872

1+:¥0.86112

2

23+
1-2工作日发货
SI2308BDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.79872

1500+:¥0.86112

750+:¥0.94744

100+:¥1.1336

1+:¥1.4768

8

--
1-3工作日
SI2308BDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.8448

6000+:¥0.912

3000+:¥0.96

800+:¥1.344

200+:¥1.92

10+:¥3.1248

2

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 156 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 190 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1.09W(Ta),1.66W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3