SI2308A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.1133
60,533
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2308A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.11

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2年内
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UMW(友台半导体)
SOT-23

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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

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2年内
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SI2308A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.139

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1500

23+/24+
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UMW
SOT-23

100+:¥0.1481

1+:¥0.1506

2707

2212
现货最快4H发
SI2308A
UMW(友台)
SOT-23

1200+:¥0.1494

600+:¥0.151

100+:¥0.235

10+:¥0.2374

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SI2308A
友台半导体(UMW)
SOT-23

30000+:¥0.1644

6000+:¥0.1775

3000+:¥0.1868

800+:¥0.1874

100+:¥0.2585

20+:¥0.2611

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UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.165

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UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.088

9000+:¥0.0904

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6000

22+
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UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.088

9000+:¥0.0904

3000+:¥0.092

3000

22+
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UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.0972

1000+:¥0.1035

500+:¥0.1125

100+:¥0.1215

50+:¥0.1395

1+:¥0.1485

78

2215+
1工作日
SI2308A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.113

9000+:¥0.122

3000+:¥0.135

600+:¥0.155

200+:¥0.185

20+:¥0.235

15960

2434+
1工作日
SI2308A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.1133

6000+:¥0.1153

3000+:¥0.1173

180000

24+
5-9工作日
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.1144

1500+:¥0.12896

200+:¥0.14976

1+:¥0.22984

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1-3工作日
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UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1476

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 240 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3