SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3958
74,397
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.3958

3000+:¥0.4221

500+:¥0.522

150+:¥0.5877

50+:¥0.6752

5+:¥0.8503

19475

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威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.3978

6000+:¥0.4294

3000+:¥0.452

800+:¥0.6328

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30000

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Vishay(威世)
SOT-23

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233

23+
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Vishay(威世)
SOT-23

1200+:¥0.4909

600+:¥0.4959

50+:¥0.6414

5+:¥0.8078

1000

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VISHAY
SOT-23

1+:¥0.6276

23689

2233
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Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.395

3000+:¥0.4191

500+:¥0.5141

150+:¥0.589

50+:¥0.7015

5+:¥0.8354

4296

2515+
1工作日
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.4022

300+:¥0.4384

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6027

23+
1-3工作日
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.405

30000+:¥0.4086

6000+:¥0.4158

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90000

22+
3-4工作日
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.4176

3000+:¥0.4214

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300+:¥0.5103

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48000

22+
4-7工作日
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥0.4604

3000+:¥0.4731

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10+:¥0.5196

363730

-
5-7工作日
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.475

93000

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3-5工作日
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
SOT-23-3,TO-236

500+:¥0.48

100+:¥0.5

30+:¥0.53

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1+:¥0.6

33

2445+
1工作日
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

3160+:¥0.852

23689

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3-5工作日
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.384

1+:¥0.411

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SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.414

30+:¥0.425

10+:¥0.437

5+:¥0.444

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20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 340 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3