SI2307A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.104
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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UMW(友台半导体)
SOT-23

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SI2307A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

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UMW(友台半导体)
SOT-23

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SOT23-3

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3000

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UMW(友台)
SOT-23

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UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.1045

9000+:¥0.112

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200+:¥0.185

20+:¥0.2352

8531

2431+
1工作日
SI2307A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.1133

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180000

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UMW/深圳友台半导体
SOT-23

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100+:¥0.2

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1796

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SI2307A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1516

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UMW SI2307A
UMW(友台)
SOT-23

2000+:¥0.1695

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15 nC @ 15 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 565 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3