SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.127
37,017
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.127

1+:¥0.142

7980

2年内
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SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.13208

1+:¥0.14768

7977

2年内
1-2工作日发货
SI2305B-TP
MCC
SOT-23-3

3000+:¥0.1499

2000+:¥0.1621

1500+:¥0.1741

1000+:¥0.1861

500+:¥0.2047

100+:¥0.2455

5500

24+
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SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.1905

1500+:¥0.213

210+:¥0.246

7980

-
3天-15天
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

100+:¥0.292

30+:¥0.328

10+:¥0.374

5+:¥0.468

4000

20+/21+
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

300+:¥0.3275

100+:¥0.3743

10+:¥0.4679

650

-
立即发货
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

5000+:¥0.3596

2000+:¥0.3689

500+:¥0.3844

300+:¥0.4154

100+:¥0.4464

1+:¥0.4774

1465

-
立即发货
SI2305B-TP
美微科(MCC)
SOT-23

30000+:¥0.3758

6000+:¥0.4056

3000+:¥0.4058

800+:¥0.5396

100+:¥0.7709

20+:¥1.2545

1465

-
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23-3

3000+:¥0.13208

1500+:¥0.14768

200+:¥0.17056

1+:¥0.26416

7980

--
1-3工作日
SI2305B-TP
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
SOT-23

9000+:¥0.1323

3000+:¥0.1364

21000

25+
1工作日
SI2305B-TP
Micro Commercial Components
SOT-23

9000+:¥0.1323

6000+:¥0.1357

3000+:¥0.1438

69000

-
3-5工作日
SI2305B-TP
Micro Commercial Components
SOT-23

15000+:¥0.138

9000+:¥0.1416

3000+:¥0.144

9000

-
15工作日
SI2305B-TP
MCC(美微科)
SOT-23

60000+:¥0.14

45000+:¥0.1434

3000+:¥0.1445

1500+:¥0.1624

200+:¥0.187

1+:¥0.2901

7995

25+
2-5工作日
SI2305B-TP
Micro Commercial Components
SOT-23

15000+:¥0.1809

9000+:¥0.1839

3000+:¥0.1884

1098000

-
7-12工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 740 pF @ 4 V
功率耗散(最大值) 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3