Si2302CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.212
2,825,107
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2302CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.212

1+:¥0.24

806766

25+
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VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.2157

3000+:¥0.2242

500+:¥0.2716

150+:¥0.3077

50+:¥0.3516

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34670

-
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.22048

1+:¥0.2496

806759

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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.22282

318480

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VISHAY(威世)
SOT-23

3000+:¥0.228

500+:¥0.267

100+:¥0.314

10+:¥0.438

2860

22+/24+
SI2302CDS-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23-3(TO-236-3)

30000+:¥0.2365

6000+:¥0.2554

3000+:¥0.2688

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36000

-
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Vishay(威世)
SOT-23

6000+:¥0.2376

3000+:¥0.252

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500+:¥0.283

200+:¥0.3037

20+:¥0.3243

2245

-
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VISHAY
SOT-23

100+:¥0.2445

1+:¥0.262

7611

2144
现货最快4H发
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2756

1500+:¥0.312

200+:¥0.3588

90+:¥0.5564

807106

-
3天-15天
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

1000+:¥2.0698

500+:¥2.1369

300+:¥2.2232

100+:¥2.6544

50+:¥3.2964

40+:¥4.9829

2610

-
3周-4周
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.222

500+:¥0.2526

150+:¥0.2833

50+:¥0.3143

5+:¥0.3837

56144

2446+
1工作日
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.2236

1500+:¥0.25272

200+:¥0.29016

1+:¥0.45032

507989

--
1-3工作日
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.2291

12000+:¥0.2332

6000+:¥0.2372

3000+:¥0.2513

180000

25+
3-6工作日
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.231

60000

25+
1-3工作日
SI2302CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2387

1500+:¥0.2697

200+:¥0.3097

1+:¥0.4806

808179

25+
2-4工作日
SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.2658

30000+:¥0.2681

6000+:¥0.2729

3000+:¥0.2824

90000

22+
3-4工作日
SI2302CDS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥1.3305

1000+:¥1.9458

500+:¥2.4162

100+:¥2.7997

10+:¥3.7565

1+:¥5.2878

2320

23+
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
功率耗散(最大值) 710mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3