厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3(TO-236)
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3000+:¥0.212 1+:¥0.24 |
806766 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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Si2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:¥0.2157 3000+:¥0.2242 500+:¥0.2716 150+:¥0.3077 50+:¥0.3516 5+:¥0.4369 |
34670 |
-
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立即发货
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立创商城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.22048 1+:¥0.2496 |
806759 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.22282 |
318480 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:¥0.228 500+:¥0.267 100+:¥0.314 10+:¥0.438 |
2860 |
22+/24+
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在芯间
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SI2302CDS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3(TO-236-3)
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30000+:¥0.2365 6000+:¥0.2554 3000+:¥0.2688 800+:¥0.3763 200+:¥0.5376 10+:¥0.875 |
36000 |
-
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油柑网
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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6000+:¥0.2376 3000+:¥0.252 1000+:¥0.2624 500+:¥0.283 200+:¥0.3037 20+:¥0.3243 |
2245 |
-
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立即发货
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华秋商城
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23
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100+:¥0.2445 1+:¥0.262 |
7611 |
2144
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.2756 1500+:¥0.312 200+:¥0.3588 90+:¥0.5564 |
807106 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1000+:¥2.0698 500+:¥2.1369 300+:¥2.2232 100+:¥2.6544 50+:¥3.2964 40+:¥4.9829 |
2610 |
-
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3周-4周
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唯样商城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥0.222 500+:¥0.2526 150+:¥0.2833 50+:¥0.3143 5+:¥0.3837 |
56144 |
2446+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.2236 1500+:¥0.25272 200+:¥0.29016 1+:¥0.45032 |
507989 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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24000+:¥0.2291 12000+:¥0.2332 6000+:¥0.2372 3000+:¥0.2513 |
180000 |
25+
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3-6工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥0.231 |
60000 |
25+
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1-3工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥0.2387 1500+:¥0.2697 200+:¥0.3097 1+:¥0.4806 |
808179 |
25+
|
2-4工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3,TO-236
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150000+:¥0.2658 30000+:¥0.2681 6000+:¥0.2729 3000+:¥0.2824 |
90000 |
22+
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3-4工作日
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云汉芯城
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY
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SOT-23-3,TO-236
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3000+:¥1.3305 1000+:¥1.9458 500+:¥2.4162 100+:¥2.7997 10+:¥3.7565 1+:¥5.2878 |
2320 |
23+
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3-5工作日
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云汉芯城
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 5.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
功率耗散(最大值) | 710mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |