SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0838
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V
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BORN(伯恩半导体)
SOT-23

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BORN
SOT-23

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100+:¥0.086

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BORN(伯恩)
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SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0892

9000+:¥0.0955

3000+:¥0.1072

600+:¥0.1335

200+:¥0.156

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SOT-23

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20+:¥0.1886

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 45mΩ@4.5V