SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0838
126,889
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@4.5V
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SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

3000+:¥0.0835

1+:¥0.105

23227

25+
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SI2302
BORN
SOT-23

3000+:¥0.0838

100+:¥0.086

1+:¥0.0882

5276

2446
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SI2302
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.08684

1+:¥0.1092

13130

25+
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SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0892

9000+:¥0.0955

3000+:¥0.1072

600+:¥0.1335

200+:¥0.156

20+:¥0.1965

70140

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SI2302
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.1029

1200+:¥0.1282

300+:¥0.1498

20+:¥0.1886

7941

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SI2302
伯恩半导体(BORN)
SOT-23

30000+:¥0.1132

6000+:¥0.1222

3000+:¥0.1286

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100+:¥0.2572

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8041

-
SI2302
BORN(伯恩)

3000+:¥0.1228

1500+:¥0.1544

210+:¥0.247

22361

-
3天-15天
SI2302
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

21000+:¥0.0847

9000+:¥0.09

3000+:¥0.1

600+:¥0.12

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18520

2506+
1工作日
SI2302
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.0863

6000+:¥0.0885

3000+:¥0.09

900000

25+
5-10工作日
SI2302
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

60000+:¥0.0934

45000+:¥0.0943

3000+:¥0.0948

1500+:¥0.1198

200+:¥0.1915

1+:¥0.5734

23864

25+
2-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 45mΩ@4.5V