SI2301S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0759
46,144
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2.3A,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@3.3V,1A
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SI2301S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

3000+:¥0.0759

1+:¥0.0957

11710

24+
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SI2301S
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.07894

1+:¥0.09953

11706

24+
1-2工作日发货
SI2301S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

9000+:¥0.0821

6000+:¥0.0882

3000+:¥0.0995

300+:¥0.1135

100+:¥0.1353

10+:¥0.1745

10950

-
立即发货
SI2301S
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.1139

1500+:¥0.1436

220+:¥0.231

11710

-
3天-15天
SI2301S
BORN(伯恩)
SOT-23

34+:¥0.1607

20+:¥0.1623

34

-
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SI2301S
伯恩半导体(BORN)
SOT-23

30+:¥0.1785

10+:¥0.25

1+:¥0.3093

34

-
SI2301S
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.079

6000+:¥0.085

3000+:¥0.098

300+:¥0.108

100+:¥0.125

10+:¥0.153

6000

2443+
1工作日
SI2301S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

60000+:¥0.085

45000+:¥0.0859

3000+:¥0.0864

1500+:¥0.1088

200+:¥0.1747

1+:¥0.523

14825

24+
2-5工作日
SI2301S
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.0863

6000+:¥0.0885

3000+:¥0.09

2000000

25+
5-10工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2.3A
导通电阻(RDS(on)) 140mΩ@3.3V,1A