SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.195
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2301CDS-T1-GE3
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3000+:¥0.217

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威世(VISHAY)
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30000+:¥0.2299

6000+:¥0.2482

3000+:¥0.2613

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57000

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1500+:¥0.2912

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2997

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3周-4周
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3000+:¥0.2028

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1-3工作日
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3000+:¥0.2165

1500+:¥0.2486

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1+:¥0.4418

1381310

25+
2-4工作日
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2188

1000+:¥0.2318

300+:¥0.2442

100+:¥0.2615

10+:¥0.2972

14625

2502+
1工作日
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2188

300+:¥0.2385

100+:¥0.2604

30+:¥0.2866

10+:¥0.3479

1+:¥0.4201

12000

25+
1-3工作日
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.2189

12000+:¥0.2227

6000+:¥0.2266

3000+:¥0.24

180000

25+
3-6工作日
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Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10+:¥0.231

39050

批次:25+
3-5工作日
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.2405

3000+:¥0.2426

2000+:¥0.2667

1000+:¥0.2938

500+:¥0.3221

162000

21+
4-7工作日
Si2301CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2825

35000

21+
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 405 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3