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SI2301A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.0479 1+:￥0.0605 |
9907 |
2年内
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圣禾堂
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SI2301A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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51000+:￥0.0494 24000+:￥0.0539 6000+:￥0.0621 3000+:￥0.0716 500+:￥0.0887 50+:￥0.1171 |
94750 |
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立创商城
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.04982 1+:￥0.06292 |
9753 |
2年内
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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6000+:￥0.059 3000+:￥0.066 500+:￥0.112 50+:￥0.129 |
9900 |
23+/24+
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在芯间
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1+:￥0.0637 |
2605 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |