SI2301A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0479
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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UMW(友台半导体)
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UMW(友台半导体)
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51000+:¥0.0494

24000+:¥0.0539

6000+:¥0.0621

3000+:¥0.0716

500+:¥0.0887

50+:¥0.1171

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UMW(广东友台半导体)
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UMW(友台半导体)
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6000+:¥0.059

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1+:¥0.0637

2605

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UMW(友台)
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3000+:¥0.0863

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3000+:¥0.0408

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2185

2216+
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51000+:¥0.048

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6000+:¥0.061

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50+:¥0.11

20500

2337+
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1+:¥0.3016

9917

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1-3工作日
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UMW/友台半导体
SOT-23

51000+:¥0.0504

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180000

24+
5-9工作日
SI2301A
UMW/深圳友台半导体
SOT-23

1000+:¥0.104

500+:¥0.108

100+:¥0.117

15+:¥0.126

1510

1905+
1工作日
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UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.0587

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SI2301A
友台半导体(UMW)
SOT-23

30000+:¥0.4499

6000+:¥0.4857

3000+:¥0.5113

800+:¥0.7158

100+:¥1.0226

20+:¥1.6643

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 405 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3