SI2300A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0708
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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3000+:¥0.069

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21000+:¥0.0708

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3000+:¥0.0836

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3000

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2870

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 574 pF @ 10 V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3