SI2300A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0708
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2300A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.069

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2年内
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SI2300A
UMW(友台半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0708

9000+:¥0.0765

3000+:¥0.0871

600+:¥0.1031

200+:¥0.1234

20+:¥0.16

5580

-
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UMW(广东友台半导体)
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3000+:¥0.07176

1+:¥0.09038

3222

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SI2300A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.0836

1200+:¥0.099

300+:¥0.1185

20+:¥0.1536

3000

-
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SI2300A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.087

600+:¥0.103

300+:¥0.123

5+:¥0.158

2870

23+/24+
SI2300A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1035

1500+:¥0.1304

240+:¥0.2085

3229

-
3天-15天
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1+:¥0.1333

2625

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SI2300A
UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.0554

9000+:¥0.057

3000+:¥0.058

78000

22+
1工作日
SI2300A
UMW/深圳友台半导体
SOT-23

99000+:¥0.0612

9000+:¥0.063

3000+:¥0.0649

126000

22+
1工作日
SI2300A
UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.0612

1000+:¥0.0652

500+:¥0.0709

100+:¥0.0765

50+:¥0.0879

1+:¥0.0936

4293

2216+
1工作日
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.06978

1500+:¥0.08798

200+:¥0.14144

1+:¥0.42224

3481

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1-3工作日
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UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.07

9000+:¥0.0758

3000+:¥0.0868

600+:¥0.1

200+:¥0.12

20+:¥0.15

20980

2438+
1工作日
SI2300A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.0722

6000+:¥0.0735

3000+:¥0.0747

180000

24+
5-9工作日
SI2300A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.0952

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UMW SI2300A
UMW(友台)
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2000+:¥0.1582

1000+:¥0.1652

500+:¥0.175

100+:¥0.196

20+:¥0.217

5+:¥0.238

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SI2300A
友台半导体(UMW)
SOT-23

30000+:¥0.4972

6000+:¥0.5368

3000+:¥0.565

800+:¥0.791

100+:¥1.13

20+:¥1.8391

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-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 574 pF @ 10 V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3