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SCT2H12NZGC11
ROHM(罗姆)
TO-3PF-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PFM
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450+:￥13.1 1+:￥13.49 |
3265 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PF-3
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450+:￥13.624 1+:￥14.0296 |
3260 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PFM
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450+:￥14.41 10+:￥14.839 3+:￥17.215 |
3265 |
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3天-15天
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唯样商城
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SCT2H12NZGC11
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罗姆(ROHM)
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TO-3PF-3
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300+:￥14.839 60+:￥16.0194 30+:￥16.8625 15+:￥23.6075 5+:￥33.725 1+:￥54.8874 |
3265 |
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油柑网
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PF-3
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100+:￥14.86 30+:￥16.78 10+:￥18.68 1+:￥21.87 |
174 |
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立即发货
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立创商城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PFM
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300+:￥27.6644 200+:￥27.7698 100+:￥28.0861 50+:￥28.7377 30+:￥29.5905 10+:￥33.8834 5+:￥40.3132 3+:￥68.0638 |
850 |
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3周-4周
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唯样商城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM
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TO-3PFM
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150+:￥13.0 90+:￥13.7793 30+:￥14.9771 10+:￥16.7699 1+:￥19.7545 |
195 |
2519+
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1工作日
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云汉芯城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PFM-3
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450+:￥13.7592 10+:￥14.1752 1+:￥16.4424 |
3271 |
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1-3工作日
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硬之城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-3PFM
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450+:￥14.553 10+:￥14.993 1+:￥17.391 |
3271 |
23+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM
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TO-3PFM
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50+:￥16.2 30+:￥16.8 10+:￥17.4 1+:￥18.0 |
25 |
2332+
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1工作日
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云汉芯城
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SCT2H12NZGC11
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ROHM
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TO-3PFM
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22500+:￥20.746 11250+:￥20.9264 2250+:￥21.2872 450+:￥22.0088 |
450 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.1A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 184 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |