2N7002NXAKR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0647
75,197
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):190mA(Ta),300mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002NXAKR
NEXPERIA
SOT23

3000+:¥0.0647

1500+:¥0.0784

500+:¥0.0824

1+:¥0.0843

52529

2505
现货最快4H发
2N7002NXAKR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.066

1+:¥0.0832

728

25+
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Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.06864

1+:¥0.08653

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Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.0722

1500+:¥0.083

1000+:¥0.1013

100+:¥0.1297

1+:¥0.1711

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安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0726

6000+:¥0.0784

3000+:¥0.0825

800+:¥0.1155

100+:¥0.165

20+:¥0.2557

688

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA(Ta),300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.43 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 265mW(Ta),1.33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3