2N7002NXAKR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0647
75,197
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):190mA(Ta),300mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002NXAKR
NEXPERIA
SOT23

3000+:¥0.0647

1500+:¥0.0784

500+:¥0.0824

1+:¥0.0843

52529

2505
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Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.066

1+:¥0.0832

728

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3000+:¥0.06864

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SOT23

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1+:¥0.1711

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3天-5天
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安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0726

6000+:¥0.0784

3000+:¥0.0825

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100+:¥0.165

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688

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Nexperia(安世)
SOT-23

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9000+:¥0.0836

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200+:¥0.1274

20+:¥0.1646

8420

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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.083

600+:¥0.096

200+:¥0.113

20+:¥0.142

1220

23+
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.0904

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300+:¥0.1222

20+:¥0.1579

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Nexperia(安世)
SOT23

260+:¥0.1995

688

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3天-15天
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nexperia
TO-236AB

21000+:¥0.0702

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3000+:¥0.0845

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200+:¥0.11

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34683

2505+
1工作日
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Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.07165

1500+:¥0.09037

200+:¥0.14456

1+:¥0.43368

42249

--
1-3工作日
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TO-236AB

3000+:¥0.0758

1500+:¥0.0956

200+:¥0.1529

1+:¥0.4587

45449

25+
2-4工作日
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Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.0874

55282

-
6-8工作日
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Nexperia
TO-236AB

9000+:¥0.1127

6000+:¥0.1176

3000+:¥0.1225

15000

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3-5工作日
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TO-236AB

850+:¥0.299

510+:¥0.3304

170+:¥0.36

7265

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14-18工作日
2N7002NXAKR
NEXPERIA
TO-236AB

5000+:¥0.0818

3000+:¥0.0891

1000+:¥0.0973

300+:¥0.1071

100+:¥0.13

6+:¥0.157

6

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA(Ta),300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.43 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 265mW(Ta),1.33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3