2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.1044
172,605
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

9000+:¥0.1044

6000+:¥0.1078

3000+:¥0.1139

300+:¥0.1517

100+:¥0.1635

10+:¥0.1849

114120

-
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2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)

3000+:¥0.124

1+:¥0.14

122035

23+
立即发货
2N7002K-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.13936

1+:¥0.15912

1588

23+
1-2工作日发货
2N7002K-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1200+:¥0.1427

600+:¥0.1441

100+:¥0.1553

10+:¥0.1757

999

-
立即发货
2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

600+:¥0.145

300+:¥0.153

20+:¥0.206

10+:¥0.246

5893

24+/23+
2N7002K-T1-GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.1474

6000+:¥0.1592

3000+:¥0.1675

800+:¥0.2345

100+:¥0.335

20+:¥0.5452

2750

-
2N7002K-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1500+:¥0.2295

200+:¥0.2625

150+:¥0.3536

2612

-
3天-15天
2N7002K-T1-GE3
VISHAY
SOT-23

1+:¥0.3697

41714

2220
现货最快4H发
2N7002K-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1000+:¥0.716

500+:¥0.7856

300+:¥0.8652

120+:¥1.2649

2929

-
3周-4周
2N7002K-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.1034

6000+:¥0.1079

3000+:¥0.1124

63000

-
3-5工作日
2N7002K-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1109

300+:¥0.1208

100+:¥0.1319

30+:¥0.1452

10+:¥0.1763

1+:¥0.2129

15170

22+
1工作日
2N7002K-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.1142

3000+:¥0.1153

2000+:¥0.1267

1000+:¥0.1396

500+:¥0.153

236000

22+
4-7工作日
2N7002K-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.12896

1500+:¥0.1456

200+:¥0.16848

1+:¥0.26104

132776

--
1-3工作日
2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1376

1500+:¥0.1554

200+:¥0.1798

1+:¥0.2786

171676

24+
2-4工作日
2N7002K-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

10000+:¥0.1695

5000+:¥0.1725

1000+:¥0.177

10+:¥0.1875

23208

-
3-5工作日
2N7002K-T1-GE3
Vishay
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.342

150000

22+
4-6工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3