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2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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2N7002K-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.075 1+:￥0.0945 |
913096 |
25+
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.078 1+:￥0.09828 |
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硬之城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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21000+:￥0.0782 9000+:￥0.0816 3000+:￥0.0868 600+:￥0.1097 200+:￥0.1271 20+:￥0.1662 |
1358180 |
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立创商城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.0833 1200+:￥0.1053 300+:￥0.122 20+:￥0.1595 |
8074 |
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MOS场效应管 2N7002K-7 SOT-23(2N7002K-7)
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美台(DIODES)
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SOT-23
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3000+:￥0.088 1000+:￥0.112 100+:￥0.245 10+:￥0.559 |
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21+/24+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |