2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.075
3,926,109
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.075

1+:¥0.0945

913096

25+
立即发货
2N7002K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.078

1+:¥0.09828

810270

25+
1-2工作日发货
2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23

21000+:¥0.0782

9000+:¥0.0816

3000+:¥0.0868

600+:¥0.1097

200+:¥0.1271

20+:¥0.1662

1358180

-
立即发货
2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.0833

1200+:¥0.1053

300+:¥0.122

20+:¥0.1595

8074

-
立即发货
MOS场效应管 2N7002K-7 SOT-23(2N7002K-7)
美台(DIODES)
SOT-23

3000+:¥0.088

1000+:¥0.112

100+:¥0.245

10+:¥0.559

25625

21+/24+
2N7002K-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.0919

6000+:¥0.0992

3000+:¥0.1044

800+:¥0.1462

100+:¥0.2088

20+:¥0.3236

407

-
2N7002K-7
Diodes(达尔)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.1125

1500+:¥0.1418

230+:¥0.2265

810453

-
3天-15天
2N7002K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.08008

1500+:¥0.10098

200+:¥0.1612

1+:¥0.48464

1286757

--
1-3工作日
2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.0855

1500+:¥0.1078

200+:¥0.1721

1+:¥0.5173

1296802

25+
2-4工作日
2N7002K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1000+:¥0.088

100+:¥0.0918

10+:¥0.1094

20429777

-
5-10工作日
2N7002K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.0922

12000+:¥0.0938

6000+:¥0.0954

3000+:¥0.097

240000

25+
3-5工作日
2N7002K-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1038

1236322

-
6-8工作日
2N7002K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1000+:¥0.1368

500+:¥0.144

100+:¥0.1536

10000

-
3-5工作日
2N7002K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.06693

1000+:¥0.06817

500+:¥0.06942

100+:¥0.0706

1+:¥0.07147

4

22+
现货
2N7002K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

2000+:¥0.0684

500+:¥0.0696

100+:¥0.0715

50+:¥0.0733

1+:¥0.0746

4

22+
3-4工作日
2N7002K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

100+:¥0.0794

1+:¥0.0882

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 380mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3