2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.16848
22,809
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.165

1+:¥0.186

5174

24+
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2N7002AQ-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.16848

1+:¥0.18928

4840

24+
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2N7002AQ-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1+:¥0.1746

4080

2204
现货最快4H发
2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.1819

3000+:¥0.201

300+:¥0.2286

100+:¥0.2604

10+:¥0.324

8710

-
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Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.2475

1500+:¥0.279

200+:¥0.2795

120+:¥0.4316

5174

-
3天-15天
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Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1716

1500+:¥0.19344

200+:¥0.2236

1+:¥0.34528

5174

--
1-3工作日
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.1852

3000+:¥0.1868

1500+:¥0.19

100+:¥0.1964

93999

23+
3-5工作日
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.2079

12000+:¥0.2115

6000+:¥0.215

3000+:¥0.2186

30000

23+
3-5工作日
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.2093

12000+:¥0.2148

6000+:¥0.2184

3000+:¥0.2366

3000

-
5-7工作日
2N7002AQ-7
DIODES
SOT-23-3

1000+:¥0.21

500+:¥0.2407

100+:¥0.2524

10+:¥0.262

1+:¥0.276

2885

2204+
1工作日
2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

1454+:¥0.2381

1452+:¥0.2401

1451+:¥0.2443

1450+:¥0.2588

3890

-
6-8工作日
2N7002AQ-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2071

6000+:¥0.2235

3000+:¥0.2353

800+:¥0.3294

200+:¥0.4706

10+:¥0.7294

0

-
2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT-23

5+:¥0.3046

5

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 23 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3