2N7000TA
onsemi(安森美)
TO-92-2.54mm
¥0.36618
136,524
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7000TA
ON(安森美)
TO-92-2.54mm

4000+:¥0.36618

1000+:¥0.37298

500+:¥0.37978

100+:¥0.38624

10+:¥0.391

130786

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onsemi(安森美)
TO-92-2.54mm

2000+:¥0.385

500+:¥0.434

150+:¥0.4952

50+:¥0.5769

5+:¥0.7401

3425

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ON(安森美)
TO-220AB

2000+:¥0.385

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24+
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ON(安森美)
TO-92-2.54mm

2000+:¥0.4004

1+:¥0.44304

1156

24+
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2N7000TA
ON(安森美)
TO-92-2.54mm

100+:¥0.5538

1157

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On Semiconductor/Fairchild
TO-92-3

16000+:¥0.4012

4000+:¥0.408

2000+:¥0.4148

1+:¥0.425

139711

25+
3-5工作日
2N7000TA
ON(安森美)
TO-92-3

60000+:¥0.418

40000+:¥0.4224

2000+:¥0.4235

50+:¥0.4686

1+:¥0.704

1167

24+
2-4工作日
2N7000TA
ON SEMICONDUCTOR
TO-92-3

4000+:¥0.45

2000+:¥0.4809

500+:¥0.524

150+:¥0.5954

50+:¥0.7324

5+:¥0.9262

19947

2436+
1工作日
2N7000TA
On Semiconductor/Fairchild
TO-92-3

500+:¥1.2075

100+:¥1.3334

45+:¥1.464

7805

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14-18工作日
2N7000TA
ON(安森美)
TO92-3

1000+:¥0.3645

500+:¥0.3804

100+:¥0.4121

30+:¥0.4438

1+:¥0.4597

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2N7000TA
ON SEMICONDUCTOR
TO-92

1000+:¥0.4077

100+:¥0.4508

1+:¥0.4949

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线