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2N7000
onsemi(安森美)
TO-92-3L
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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渠道
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ON(安森美)
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TO-92-3
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10000+:￥0.74 1+:￥0.792 |
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圣禾堂
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ON(安森美)
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TO-92-3
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10000+:￥0.7696 1+:￥0.82368 |
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25+
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硬之城
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onsemi(安森美)
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TO-92-3L
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5000+:￥0.8646 2000+:￥0.9049 1000+:￥0.9719 150+:￥1.1855 50+:￥1.3075 5+:￥1.592 |
10200 |
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ON(安森美)
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5000+:￥0.8712 2500+:￥0.9152 500+:￥0.9878 100+:￥1.0868 40+:￥1.353 |
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唯样商城
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TO92-3
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1000+:￥0.946 400+:￥1.1302 200+:￥1.1416 50+:￥1.2587 5+:￥1.5319 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |