2N7000
onsemi(安森美)
TO-92-3L
¥0.7696
25,302
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7000
ON(安森美)
TO-92-3

10000+:¥0.74

1+:¥0.792

7549

25+
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2N7000
ON(安森美)
TO-92-3

10000+:¥0.7696

1+:¥0.82368

7343

25+
1-2工作日发货
2N7000
onsemi(安森美)
TO-92-3L

5000+:¥0.8646

2000+:¥0.9049

1000+:¥0.9719

150+:¥1.1855

50+:¥1.3075

5+:¥1.592

10200

-
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2N7000
ON(安森美)

5000+:¥0.8712

2500+:¥0.9152

500+:¥0.9878

100+:¥1.0868

40+:¥1.353

7349

-
3天-15天
2N7000
ON(安森美)
TO92-3

1000+:¥0.946

400+:¥1.1302

200+:¥1.1416

50+:¥1.2587

5+:¥1.5319

410

-
立即发货
2N7000
ON SEMICONDUCTOR
TO-92-3

1000+:¥0.745

500+:¥0.7954

100+:¥0.8786

30+:¥0.998

10+:¥1.2021

1+:¥1.5111

1689

2509+
1工作日
2N7000
ON(安森美)
TO-92-3

10000+:¥0.814

5000+:¥0.8712

2500+:¥0.9152

500+:¥0.9878

100+:¥1.0868

1+:¥1.353

7579

25+
2-4工作日
2N7000
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
TO-92-3

1000+:¥0.8804

300+:¥0.9597

100+:¥1.0477

30+:¥1.1534

10+:¥1.3999

1+:¥1.6904

4739

23+
1-3工作日
2N7000
On Semiconductor/Fairchild
TO-92-3

12500+:¥2.9146

2500+:¥3.069

20+:¥3.2313

8200

-
10-15工作日
2N7000
onsemi(安森美)
TO-92(TO-92-3)

100+:¥0.852

30+:¥0.852

10+:¥0.852

1+:¥0.852

0

20+/21+
2N7000
安森美(onsemi)
TO-92-3

10000+:¥0.8883

2000+:¥0.9589

1000+:¥1.0094

500+:¥1.4132

100+:¥2.0188

20+:¥3.2856

0

-
2N7000
ON SEMICONDUCTOR
TO-92-3

1+:¥2.4736

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)