RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
X2-DFN1006-3
¥0.28
74,318
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
SOT-883

8000+:¥0.1698

1+:¥0.3736

1820

-
3天-5天
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
VML1006

8000+:¥0.28

1+:¥0.305

3770

25+
立即发货
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
X2-DFN1006-3

8000+:¥0.2912

1+:¥0.3172

3765

25+
1-2工作日发货
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
X2-DFN1006-3

5000+:¥0.4068

2500+:¥0.4342

500+:¥0.5409

150+:¥0.6093

50+:¥0.7006

5+:¥0.8831

6235

-
立即发货
RV2C010UNT2L
罗姆(ROHM)
DFN1006-3

40000+:¥0.4188

8000+:¥0.4653

4000+:¥0.6421

40000

-
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
SOT-883

2000+:¥0.4251

500+:¥0.4589

100+:¥0.5044

90+:¥0.6193

3770

-
3天-15天
RV2C010UNT2L
ROHM
[VML1006, DFN1006-3]

1+:¥1.0271

366

-
现货最快4H发
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
SOT-883

10000+:¥1.1499

5000+:¥1.1499

4000+:¥1.1691

1000+:¥1.2362

500+:¥1.3224

300+:¥1.4566

100+:¥2.0986

60+:¥2.8173

14526

-
3周-4周
RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
SOT-883

8000+:¥0.5693

100+:¥0.7874

1+:¥1.4746

66

-
3天-5天

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 470 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-101,SOT-883