RUM002N02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.0935
490,888
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,2.5V
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RUM002N02T2L
ROHM(罗姆)
VMT3(SOT-723)

8000+:¥0.0899

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VMT

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40000

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47700

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3周-4周
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48000

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3周-4周
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VMT

1000+:¥0.6265

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300+:¥0.8652

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3周-4周
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ROHM(罗姆)
SOT-723-3

2000+:¥0.92934

600+:¥0.99106

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7896

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现货
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SOT-723-3

8000+:¥0.09994

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500+:¥0.182

1+:¥0.54808

230473

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1-3工作日
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ROHM(罗姆)
VMT-3

72000+:¥0.104

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25+
2-4工作日
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ROHM
VMT-3

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180000

25+
3-6工作日
RUM002N02T2L
ROHM
VMT-3

8000+:¥0.1196

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100+:¥0.1423

30+:¥0.1566

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1+:¥0.2296

15135

24+
1工作日
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ROHM
VMT-3

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22+
5-7工作日
RUM002N02T2L
ROHM(罗姆)
VMT-3

8000+:¥0.1286

1+:¥0.1675

219006

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6-8工作日
RUM002N02T2L
ROHM
VMT-3

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2000+:¥0.629

100+:¥0.6487

5900

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10-15工作日
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罗姆(ROHM)
SOT-723

80000+:¥0.1231

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8000+:¥0.1399

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ROHM(罗姆)
SOT-723-3

2000+:¥0.1792

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ROHM
SOT-723-3

1+:¥0.2254

2

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723