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RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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RUC002N05HZGT116
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ROHM(罗姆)
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SST3(SOT-23-3)
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3000+:￥0.132 1+:￥0.149 |
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25+
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圣禾堂
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RUC002N05HZGT116
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ROHM(罗姆)
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SST3(SOT-23-3)
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3000+:￥0.13728 1+:￥0.15496 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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RUC002N05HZGT116
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罗姆(ROHM)
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SOT-23
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30000+:￥0.1452 6000+:￥0.1568 3000+:￥0.165 800+:￥0.231 100+:￥0.33 20+:￥0.5371 |
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油柑网
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RUC002N05HZGT116
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ROHM(罗姆)
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SOT-23
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300+:￥0.184 100+:￥0.2144 10+:￥0.275 |
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立创商城
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RUC002N05HZGT116
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ROHM(罗姆)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.198 1500+:￥0.2235 200+:￥0.258 150+:￥0.3471 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |