RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.132
159,762
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SST3(SOT-23-3)

3000+:¥0.132

1+:¥0.149

39574

25+
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RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SST3(SOT-23-3)

3000+:¥0.13728

1+:¥0.15496

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RUC002N05HZGT116
罗姆(ROHM)
SOT-23

30000+:¥0.1452

6000+:¥0.1568

3000+:¥0.165

800+:¥0.231

100+:¥0.33

20+:¥0.5371

39574

-
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SOT-23

300+:¥0.184

100+:¥0.2144

10+:¥0.275

1470

-
立即发货
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SOT-23-3

3000+:¥0.198

1500+:¥0.2235

200+:¥0.258

150+:¥0.3471

39574

-
3天-15天
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SST3(SOT-23-3)

3000+:¥0.13728

1500+:¥0.15496

200+:¥0.17888

1+:¥0.27768

42674

--
1-3工作日
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SST-3

60000+:¥0.143

45000+:¥0.1441

3000+:¥0.1452

1500+:¥0.1639

200+:¥0.1892

1+:¥0.2937

42674

25+
2-4工作日
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SST-3

3000+:¥0.177

1+:¥0.2113

40540

-
6-8工作日
RUC002N05HZGT116
ROHM
SST-3

525+:¥0.4945

315+:¥0.5428

105+:¥0.588

5410

-
14-18工作日
RUC002N05HZGT116
ROHM
SST-3

6000+:¥0.142

3000+:¥0.1481

1500+:¥0.1563

500+:¥0.1671

100+:¥0.1891

1+:¥0.2237

4

2425+
1工作日
RUC002N05HZGT116
ROHM(罗姆)
SOT-23

500+:¥0.1439

100+:¥0.1516

10+:¥0.1671

1+:¥0.1735

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-
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RUC002N05HZGT116
ROHM
[SOT-23, SOT-23]

1+:¥0.196

3

2425
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3