RU1J002YNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.17056
226,762
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0.9V,4.5V
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ROHM(罗姆)
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SOT323FL

3000+:¥0.2021

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10+:¥0.3294

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3000+:¥0.17992

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ROHM

3000+:¥0.196

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2514+
1工作日
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3000+:¥0.2313

1+:¥0.2763

68394

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1500+:¥0.4729

800+:¥0.4827

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475+:¥0.529

285+:¥0.5782

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14-18工作日
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ROHM
[UMT3F, SOT-323FL]

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0.9V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 26 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-85