RU1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.087
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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罗姆(ROHM)
SOT-323FL

30000+:¥0.087

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3000+:¥0.0994

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30+:¥0.1398

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1+:¥0.1372

1485

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200+:¥0.2595

90+:¥0.572

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1000+:¥0.5524

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170+:¥0.9149

1101

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3000+:¥0.1774

100+:¥0.2454

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80

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3天-5天
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1+:¥0.5408

502

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7.1 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-85