RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.3328
67,435
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
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RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT3(SOT-723)

8000+:¥0.329

1+:¥0.358

20969

25+
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RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT3

8000+:¥0.3328

1+:¥0.36296

20962

25+
1-2工作日发货
RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723

2500+:¥0.338

500+:¥0.4072

150+:¥0.4304

50+:¥0.4614

5+:¥0.5234

3240

-
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RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

1500+:¥0.38

500+:¥0.4

150+:¥0.5

50+:¥0.55

5+:¥0.7

947

-
立即发货
RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT

8000+:¥0.4277

4000+:¥0.4654

2000+:¥0.4979

500+:¥0.5382

100+:¥0.5915

70+:¥0.726

20969

-
3天-15天
RSM002P03T2L
罗姆(ROHM)
SOT-723

40000+:¥0.4786

8000+:¥0.5318

4000+:¥0.7339

8000

-
RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT

8000+:¥0.6422

4000+:¥0.8495

1000+:¥1.2529

100+:¥2.4471

1+:¥4.3159

100

-
3天-5天
RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT

5000+:¥1.3703

4000+:¥1.3703

1000+:¥1.4374

500+:¥1.5428

300+:¥1.6674

100+:¥2.2998

50+:¥3.2772

5218

-
3周-4周
RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
VMT

5000+:¥1.3703

4000+:¥1.3703

1000+:¥1.4374

500+:¥1.5428

300+:¥1.6674

100+:¥2.2998

50+:¥3.2772

7999

-
3周-4周

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723