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RQ3E120ATTB
ROHM(罗姆)
HSMT-8(3x3.2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT-8(3.2x3)
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3000+:￥1.05 1+:￥1.11 |
16177 |
25+
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圣禾堂
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT-8
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3000+:￥1.092 1+:￥1.1544 |
16175 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT8
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100+:￥1.148 30+:￥1.492 10+:￥1.669 1+:￥2.083 |
1645 |
20+/21+
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在芯间
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT8_3.3X3.3MM
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1000+:￥1.15 500+:￥1.2 100+:￥1.3 30+:￥1.4 1+:￥1.45 |
310 |
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华秋商城
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT
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3000+:￥1.155 1500+:￥1.221 750+:￥1.298 100+:￥1.441 30+:￥1.804 |
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3天-15天
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RQ3E120ATTB
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罗姆(ROHM)
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HSMT8
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30000+:￥1.265 6000+:￥1.3656 3000+:￥1.4375 800+:￥1.4462 100+:￥1.4588 20+:￥1.4739 |
310 |
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油柑网
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT
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4000+:￥3.1239 1000+:￥3.1718 500+:￥3.2389 300+:￥3.3251 100+:￥3.7564 50+:￥4.3984 30+:￥6.3244 |
15381 |
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3周-4周
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唯样商城
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ROHM(罗姆)
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HSMT
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4000+:￥3.1239 1000+:￥3.1718 500+:￥3.2389 300+:￥3.3251 100+:￥3.7564 50+:￥4.3984 30+:￥6.3244 |
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3周-4周
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ROHM(罗姆)
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HSMT-8(3x3.2)
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150+:￥1.4034 50+:￥1.5806 5+:￥1.9938 |
90 |
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RQ3E120ATTB
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ROHM(罗姆)
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HSMT
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3000+:￥2.2786 100+:￥3.1516 1+:￥5.9019 |
30 |
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3天-5天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 62 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |