RJP020N06T100
ROHM(罗姆)
SOT-89
¥0.55
278,618
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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RJP020N06T100
ROHM(罗姆)
MPT3(SOT-89)

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RJP020N06T100
ROHM(罗姆)
SOT-89-3

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SOT-89

1000+:¥0.7428

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ROHM(罗姆)
SOT-89-3

500+:¥1.11

100+:¥1.54

20+:¥1.55

1+:¥2.22

1250

21+/20+
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ROHM(罗姆)
MPT

4000+:¥2.3382

1000+:¥2.3861

500+:¥2.4436

300+:¥2.5298

100+:¥2.961

50+:¥3.603

30+:¥5.5387

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3周-4周
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SOT89-3

2000+:¥0.7916

1000+:¥0.8128

500+:¥0.8482

100+:¥0.9188

30+:¥0.9542

1+:¥0.9895

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ROHM
[MPT3, SOT-89]

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罗姆(ROHM)
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10000+:¥1.1765

2000+:¥1.2701

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300+:¥2.6738

100+:¥4.3516

14

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MPT3

1000+:¥0.58552

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92083

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA