RE1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-416FL
¥0.105
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RE1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
EMT3F(SOT-416FL)

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ROHM(罗姆)
SOT-416FL

21000+:¥0.107

9000+:¥0.1143

3000+:¥0.1287

600+:¥0.1467

200+:¥0.1707

20+:¥0.2187

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ROHM(罗姆)
SOT-416FL-3

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RE1C001UNTCL
罗姆(ROHM)
SOT-416FL

30000+:¥0.1131

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1000+:¥0.1799

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300+:¥0.4183

18000

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ROHM(罗姆)
EMTF

3000+:¥0.1575

1500+:¥0.1785

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ROHM(罗姆)
SOT416

2000+:¥0.1627

1000+:¥0.1668

500+:¥0.1735

100+:¥0.187

30+:¥0.1938

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EMTF

30000+:¥0.4466

10000+:¥0.4466

5000+:¥0.4584

4000+:¥0.4584

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10000+:¥0.4466

5000+:¥0.4584

4000+:¥0.4584

1000+:¥0.5524

500+:¥0.5669

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ROHM
SOT-416FL

1+:¥0.4606

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RE1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-416FL-3

3000+:¥0.1092

1500+:¥0.12376

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1+:¥0.21944

13323

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7.1 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-89,SOT-490