PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
SC-101,SOT-883
¥0.112
512,983
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
SOT883

10000+:¥0.112

5000+:¥0.1288

1000+:¥0.1571

100+:¥0.2011

1+:¥0.2654

5000

-
3天-5天
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
DFN-1006-3

10000+:¥0.12243

470000

23+24+
1-3工作日发货
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
DFN-1006-3

10000+:¥0.124

1+:¥0.137

10000

2年内
立即发货
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
DFN-1006-3

10000+:¥0.12896

1+:¥0.14248

9998

2年内
1-2工作日发货
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
SOT-883

10000+:¥0.1362

5000+:¥0.145

1000+:¥0.1626

300+:¥0.1864

100+:¥0.216

10+:¥0.2751

7840

-
立即发货
PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
SOT883

10000+:¥0.186

5000+:¥0.2055

500+:¥0.2355

170+:¥0.3068

10000

-
3天-15天
PMZ600UNEYL
NEXPERIA
SOT883

1+:¥0.2147

145

-
现货最快4H发
PMZ600UNEYL
安世(Nexperia)
SOT-883

100000+:¥0.1396

20000+:¥0.1507

10000+:¥0.1586

1000+:¥0.222

100+:¥0.3172

20+:¥0.5163

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 21.3 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-101,SOT-883