PMV55ENEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.653758
244,405
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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6000+:¥0.6538

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50+:¥1.06

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TO-236AB

15000+:¥0.7085

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TO-236AB

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 646 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 478mW(Ta),8.36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3