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PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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PMV50EPEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.3784 3000+:￥0.4041 500+:￥0.4555 150+:￥0.5197 50+:￥0.6053 5+:￥0.7767 |
1860 |
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PMV50EPEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.5093 |
8939 |
23+24+22+
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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23+24+
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硬之城
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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15000+:￥0.513 3000+:￥0.57 1500+:￥0.7866 |
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油柑网
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PMV50EPEAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.52 1+:￥0.559 |
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23+
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 793 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），455mW（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |