PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.3784
48,561
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.3784

3000+:¥0.4041

500+:¥0.4555

150+:¥0.5197

50+:¥0.6053

5+:¥0.7767

1860

-
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PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.5093

8939

23+24+22+
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3000+:¥0.5093

8887

23+24+
1-3工作日发货
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安世(Nexperia)
SOT-23

15000+:¥0.513

3000+:¥0.57

1500+:¥0.7866

696

-
PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.52

1+:¥0.559

2705

23+
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PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.5408

1+:¥0.58136

2698

23+
1-2工作日发货
PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT23

1500+:¥0.6149

200+:¥0.7073

60+:¥0.9196

2705

-
3天-15天
PMV50EPEAR
NEXPERIA
SOT23

500+:¥0.6691

100+:¥0.7227

1+:¥0.7806

2236

2242
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PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.7127

1500+:¥0.8196

1000+:¥0.9999

100+:¥1.2798

1+:¥1.6894

15000

-
3天-5天
PMV50EPEAR
Nexperia(安世)
TO-236AB

500+:¥0.78

150+:¥1.03

50+:¥1.14

5+:¥1.39

2835

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 19.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 793 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta),455mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3