PMV213SN,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.5512
63,425
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.9A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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PMV213SN,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.5512

1+:¥0.5928

2349

25+
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Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.5695

3000+:¥0.6051

500+:¥0.6645

150+:¥0.8143

50+:¥0.9234

5+:¥1.1781

17575

-
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.56994

27000

25+
1-3工作日发货
PMV213SN,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.583

6000+:¥0.6294

3000+:¥0.6625

800+:¥0.9275

100+:¥1.325

20+:¥2.1565

2354

-
PMV213SN,215
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.583

1500+:¥0.627

200+:¥0.7205

60+:¥0.9372

5354

-
3天-15天
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NEXPERIA
SOT-23

300+:¥0.6253

100+:¥0.6762

1+:¥0.7816

3997

2232
现货最快4H发
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Nexperia(安世)
SOT-23

600+:¥0.6313

50+:¥0.8772

5+:¥1.1192

178

-
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Nexperia(安世)
SOT-23(SOT-23-3)

3000+:¥0.83

500+:¥0.95

50+:¥1.14

5+:¥1.42

4618

20+/21+
PMV213SN,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.53

1+:¥0.57

32458

25+
立即发货
PMV213SN,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.5512

1500+:¥0.5928

200+:¥0.6812

1+:¥0.88608

32355

--
1-3工作日
PMV213SN,215
NEXPERIA
TO-236AB

5000+:¥0.5636

2000+:¥0.5989

500+:¥0.65

150+:¥0.8

50+:¥0.9

1+:¥1.1

2085

2517+
1工作日
PMV213SN,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.583

1500+:¥0.627

200+:¥0.7205

1+:¥0.9372

32458

25+
2-4工作日
PMV213SN,215
nexperia
TO-236AB

24000+:¥0.6496

12000+:¥0.6608

6000+:¥0.672

3000+:¥0.6832

30000

25+
3-5工作日
PMV213SN,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

300+:¥0.8491

3797

-
6-8工作日
PMV213SN,215
NEXPERIA
TO-236AB

50+:¥0.9104

5+:¥1.1631

56

22+
1工作日
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nexperia
TO-236AB

9000+:¥1.2172

6000+:¥1.249

3000+:¥1.2702

3000

23+
3-7工作日
PMV213SN,215
nexperia
TO-236AB

1500+:¥1.78

760+:¥1.8357

39520

-
10-15工作日
PMV213SN,215
nexperia
TO-236AB

125+:¥2.139

75+:¥2.3482

25+:¥2.592

14204

-
14-18工作日
MOS场效应管 PMV213SN,215 SOT-23(PMV213SN,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥1.768

1000+:¥2.299

20+:¥2.653

1+:¥4.421

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 330 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 280mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3