PMV20ENR
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.39
128,193
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
PMV20ENR
NEXPERIA
SOT-23-3

3000+:¥0.4075

1000+:¥0.456

100+:¥0.4705

1+:¥0.4851

6971

2201
现货最快4H发
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.42

150+:¥0.57

50+:¥0.65

5+:¥0.79

3025

20+/21+
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23

500+:¥0.421

150+:¥0.4412

50+:¥0.4484

5+:¥0.4593

1520

-
立即发货
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23

1200+:¥0.4253

600+:¥0.4297

50+:¥0.4305

5+:¥0.4409

1097

-
立即发货
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.4395

1500+:¥0.5055

1000+:¥0.6167

560+:¥0.7893

93000

-
3天-5天
MOS场效应管 PMV20ENR SOT-23(PMV20ENR)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.566

1000+:¥0.736

20+:¥0.849

1+:¥1.415

22500

20+/21+
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.39

1+:¥0.417

49

25+
立即发货
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.4056

1+:¥0.43368

31

25+
1-2工作日发货
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT23

70+:¥0.7326

75

-
3天-15天
PMV20ENR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.4056

1500+:¥0.43368

200+:¥0.47736

1+:¥0.69264

75

--
1-3工作日
PMV20ENR
Nexperia(安世)
TO-236AB

60000+:¥0.4213

45000+:¥0.4246

3000+:¥0.429

1500+:¥0.4587

200+:¥0.5049

1+:¥0.7326

585

25+
2-4工作日
PMV20ENR
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.5543

1000+:¥0.6252

100+:¥0.6573

6622

-
6-8工作日
PMV20ENR
nexperia
TO-236AB

18000+:¥0.5626

12000+:¥0.5772

3000+:¥0.587

6000

24+
3-7工作日
PMV20ENR
nexperia
TO-236AB

250+:¥1.0465

150+:¥1.1446

50+:¥1.26

2443

-
14-18工作日
PMV20ENR
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.4442

6000+:¥0.4796

3000+:¥0.5048

800+:¥0.7067

200+:¥1.0096

10+:¥1.6431

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 21毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 435 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 510mW(Ta),6.94W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3